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发布日期:2018-06-19 00:00 来源:http://www.hoomaloka.com 点击:

   多数载流子的扩散运动

  如果将P型和N型半导体两者紧密结合,连成一体,导电类型相反的两块半 导体之间的过渡区域,称为P-N结。在PN结两边,P区内,空穴很多, 电子很少;而在N区内,则电子很多,空穴很少。因此,在P型和N型半导体交界面的两边,电子和空穴的浓度不相等,因此会产生多数载流子的扩散运动。

  在靠近交界面附近的P区中,空穴要由浓度大的P区向浓度小的N区扩散,并与那里的电子复合,从而使该处出现~批带 正电荷的掺人杂质的离子;同时,在P区内,由于跑掉了一批空穴而呈现带负电荷的掺人杂质的离子。

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  在靠近交界面附近的N区中,电子要由浓度大的N区向浓度小的P区扩散,并与那里的空穴复合,从而使该处出现批带负电荷的掺人杂质的离子;同时,在N区内,由于跑掉了一批电子而呈现带正电荷的掺人杂质的离子。

  于是,扩散的结果是在交界面的两边形成靠近N区的一边带正电荷,而靠近P区的另一边带负电荷的一层很薄的区域,称为空间电荷区(也称耗尽区),这就是P-N结。在P-N结内,由于两边分别积聚了正电荷和负电荷,会产生一个由N区指向P区的反向电。?a id="d057222b" href="http://www.hoomaloka.com" target="_blank">称为内建电场(或势垒电场)。

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